جارٍ التحميل…
في التشبع، saturation، الهبوط بين الـ collector والـ emitter، V_CE، ينزل لأقل قيمة، غالبًا أقل من ثلاث مِيّة مللي volt في ترانزستورات الإشارة. والقدرة الضائعة في الـ transistor تساوي V_CE ضرب I_C، فلو V_CE قريب من الصفر، الحرارة قريبة من الصفر. في المعمل: حمل سبعة وأربعين ohm، ومقاومة base نغيّرها من سبعة وأربعين كيلو لاثنين كيلو ومِيّتين، ونشوف الـ transistor ينتقل من منطقة حارة لمنطقة باردة.
ابدأ بقراءة الهدف، ثم تابع الشرح وجرّب الخطوات بنفسك. يمكنك إيقاف التسجيل لتعديل الكود وتشغيله، ثم العودة إلى الشرح من موضع التوقف. استخدم قائمة الدروس لمراجعة الموضوعات السابقة أو الانتقال إلى الدرس التالي في المسار.
ضمن مسار التصميم الإلكتروني العملي — من الترانزستور لين اللوحة المطبوعة
كيف تصمم دائرة تشتغل في الواقع مو بس على الورق: الترانزستور والتشبع، والقيادة من الجهة العلوية، والتوقيت بالمكثف، ودوائر القرار بدون برمجة، والـ 555 والـ op-amp، وتصميم منتج كامل، وفي الآخر الـ PCB — وكل دائرة تنبني قدامك في معمل الإلكترونيات.